分析转移矩阵方法研究半导体异质结中的隧穿

来源 :苏州大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：zyh20070901

【摘要】

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用分析转移矩阵方法研究了电子隧道贯穿半导体异质结的性质,给出了包含有效质量变化的任意形状的势垒的透射几率的解析公式.此公式既适用于线性变化的势垒,也适用于非线性变

【作者】

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胡静何英

【机构】

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南京邮电大学理学院,上海大学理学院

【出处】

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苏州大学学报(自然科学版)

【发表日期】

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2011年4期

【关键词】

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分析转移矩阵方法透射几率半导体异质结 analytical transfer matrix method transmission probabilitie

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用分析转移矩阵方法研究了电子隧道贯穿半导体异质结的性质,给出了包含有效质量变化的任意形状的势垒的透射几率的解析公式.此公式既适用于线性变化的势垒,也适用于非线性变化的势垒.文中应用于四种势垒的隧穿系数的计算,结果都非常精确.单垒结构中,随着电子入射能量的增加,透射几率的曲线将在接近1的数值区域振荡.在半导体异质结形成的双垒结构中会发生隧穿共振现象.

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