【摘 要】
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据美国《电子新闻》报道,IBM宣布,它将率先采用薄型SOI(硅绝缘体)大圆片芯片设计技术制造SiGe双极晶体管。这是IBM在同一个薄型SOI大圆片上制造SiGe双极晶体管和CMOS电路新
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据美国《电子新闻》报道,IBM宣布,它将率先采用薄型SOI(硅绝缘体)大圆片芯片设计技术制造SiGe双极晶体管。这是IBM在同一个薄型SOI大圆片上制造SiGe双极晶体管和CMOS电路新技术上所采取的又一个重大步骤。
According to the United States, “Electronic News” reported that IBM announced that it will take the lead in the thin SOI (silicon insulator) wafer design technology SiGe bipolar transistors. This is another major step IBM has taken to create new technologies for SiGe bipolar transistors and CMOS circuits on the same thin SOI wafer.
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