【摘 要】
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Flash存储器是在EPROM和EEPROM的制造技术基础上发展起来的一种可擦除、非易失性存储元件。1983年，Intel公司提出了EPROM隧道氧化层ETOX（EPROM Tunnel Oxide）原理，1988年推出了第
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Flash存储器是在EPROM和EEPROM的制造技术基础上发展起来的一种可擦除、非易失性存储元件。1983年，Intel公司提出了EPROM隧道氧化层ETOX（EPROM Tunnel Oxide）原理，1988年推出了第一块可快速擦写的非易失性“或非”（NOR）型Flash存储器。随后，Toshiba公司又推出了基于Fowler Nordheim的冷电子擦除原理和“与非”（NAND）型Flash存储器。
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