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利用半导体器件仿真软件研究了钒掺杂半绝缘碳化硅（SiC）光导开关（PCSS）在电容放电电路中的瞬态特性．在非故意掺杂氮浓度为1×10^14cm^-3、硼浓度为1×10^11cm^-3和电容初始电压为1000V的条件下，当钒浓度为1×10^12cm^-3时，电路在初始阶段有一个完整的振荡脉冲电流，随后存在较大的泄露电流，当光导开关受到波长为532nm、功率为2400W／cm2激光的激发时，电容放电形成幅值约为88A的陡峭脉冲电流，激光结束后电路还有较大的拖尾电流．随着钒浓度增加