【摘 要】
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采用循环伏安、计时安培测试研究了在20 g/L CuSO4＋70 g/L H2SO4酸性镀液中Cl^-存在对铜沉积还原过程以及Cl^-浓度对铜在压延铜箔基体上电结晶初期行为的影响。研究表明,加入C
【机 构】
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中南大学材料科学与工程学院,常州大学省材料表面科学与技术重点实验室
【基金项目】
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江苏省材料表面科学与技术重点实验室开放课题（9W4548）
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采用循环伏安、计时安培测试研究了在20 g/L CuSO4＋70 g/L H2SO4酸性镀液中Cl^-存在对铜沉积还原过程以及Cl^-浓度对铜在压延铜箔基体上电结晶初期行为的影响。研究表明,加入Cl^-,铜沉积起始电位大致不变,并在较低偏压（-0.3--0.1 V（SCE））下缩短铜结晶初期的形核弛豫时间,提高阴极还原电流;在较高的偏压（-0.6--0.4 V（SCE））下,Cl^-则阻碍铜的结晶沉积。通过扫描电镜还观察了Cl^-浓度、偏压对铜镀层组织形貌特征的影响,探讨了Cl^-在铜电结晶过程中的作用机
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