【摘 要】
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本文针对二阶曲率补偿的带隙基准源进行了分析研究。该基准电路是基于典型的一阶曲率补偿方式,增加一个工作在深三极管区的N型MOS器件。在高温区,等效器件电阻将分流VBE的电
【机 构】
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中国电子科技集团公司第五十四研究所
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本文针对二阶曲率补偿的带隙基准源进行了分析研究。该基准电路是基于典型的一阶曲率补偿方式,增加一个工作在深三极管区的N型MOS器件。在高温区,等效器件电阻将分流VBE的电流,从而调整VBE的二阶项。本文基于SMIC 0.18um 1.8V CMOS工艺的器件模型,在Spectre工具下进行了仿真,在-55℃~＋120℃温度范围内,一阶曲率补偿带隙电压基准的温度系数为10ppm/℃,经过二阶曲率补偿的带隙电压基准的温度系数减小到约为5.2ppm/℃,带隙电压基准的温度特性得到了很大改善。整个补偿电路使用器件少
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