【摘 要】
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通过超声波+磁力搅拌法,制备了GO-ATP纳米复合材料,采用X射线衍射(XRD)仪、傅里叶变换红外光谱(FTIR)仪、扫描电子显微镜(SEM)等手段,研究不同p H制备条件对GO-ATP纳米复合材
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通过超声波+磁力搅拌法,制备了GO-ATP纳米复合材料,采用X射线衍射(XRD)仪、傅里叶变换红外光谱(FTIR)仪、扫描电子显微镜(SEM)等手段,研究不同p H制备条件对GO-ATP纳米复合材料结构的影响。结果表明,p H值对GO-ATP纳米复合材料形成过程影响明显,极性环境不利于复合材料的形成;当p H为4~10时,随p H增大,GO-ATP纳米复合材料层间距增大,且含氧官能团峰渐强,当p H=10时,层间距最大,SEM显示ATP插层于GO片层中,有效抑制了GO的团聚。
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