【摘 要】
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本文基于国产SiC衬底的0.25um GaN HEMT工艺,采用两级放大结构设计了一款2-6GHz的宽带高效率GaN MMIC功率放大器。通过采用带通匹配结构,并综合利用电抗补偿技术,使得设计的
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本文基于国产SiC衬底的0.25um GaN HEMT工艺,采用两级放大结构设计了一款2-6GHz的宽带高效率GaN MMIC功率放大器。通过采用带通匹配结构,并综合利用电抗补偿技术,使得设计的该MMIC功率放大器在2-6GHz范围内,输出功率大于36d Bm,增益大于21d B,功率附加效率(PAE)大于41%,其中输入功率为15d Bm,Vgs1=-1.5V,Vgs2=-2V,Vds=28V。整体版图尺寸3.5×2.4mm。
Based on the 0.25um GaN HEMT technology of domestic SiC substrates, a 2-6GHz wideband high-efficiency GaN MMIC power amplifier is designed with a two-stage amplification structure. By adopting the band-pass matching structure and utilizing the reactance compensation technology synthetically, the designed MMIC power amplifier has the output power greater than 36d Bm, the gain greater than 21d B and the power added efficiency (PAE) greater than 41% in the range of 2-6GHz, Input power is 15d Bm, Vgs1 = -1.5V, Vgs2 = -2V, Vds = 28V. The overall layout size 3.5 × 2.4mm.
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