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国际整流器公司（ＩＲ公司）推出的超快速（ＷＡＲＰ—Ｓｐｅｅｄ）ＩＧＢＴ的开关特性与功率ＭＯＳＦＥＴ非常接近，在大功率电源变换器中，ＭＯＳＦＥＴ成本很高，采用ＩＧＢＴ可以大大降低成本，由于ＩＧＢＴ电流密度很高，通常可比ＭＯＳＦＥＴ大２倍或３倍以上，...
用超快速IGBT可取代100kHz变换器中的MOSFET
【摘 要】
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国际整流器公司（ＩＲ公司）推出的超快速（ＷＡＲＰ—Ｓｐｅｅｄ）ＩＧＢＴ的开关特性与功率ＭＯＳＦＥＴ非常接近，在大功率电源变换器中，ＭＯＳＦＥＴ成本很高，采用ＩＧＢＴ可以大大降低成本，由于ＩＧＢＴ电流密度很高，通常可比ＭＯＳＦＥＴ大２倍或３倍以上，...
【机 构】
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西安通信学院
【出 处】
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国外电子元器件
【发表日期】
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1999年5期
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