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采用倒筒式射频溅射方法，在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了Ba0.65Sr0.35TiO3（简称BST）薄膜。研究了自偏压对BST薄膜结构及电学性能的影响。在较高自偏压下制备的BST薄膜具有高度的（100）择优取向，且结晶性好，表面平整，耐压能力强。在25℃时薄膜的热释电系数高达6.73×10^-7C/（cm^2·K）。红外单元探测器在30Hz下的探测率D＊为4.93×10^7cm·Hz^1/2/W。研究结果表明，利用倒筒式射频溅射方法，适当提高自偏压，可以制