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本文通过测量伏安特性和光谱响应了被还原的ｎ型ｎ型ＮｉＮｂ２Ｏ６半导体晶电极的光电化学物质及其能级结果。观察到两个吸收带，强者在３．２４ｅＶ，对应于氧－铌跃廷；弱者在１．７５ｅＶ，在可见光区，对应于镍－铌跃迁，探讨了阳极暗腐蚀、光腐蚀和水的光电解机理，缓出了ＮｉＮｂ２Ｏ６的电子能级和主主要的裂解能级。