【摘 要】
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利用高分辨X射线衍射仪（XRD）分析了长时间退火前后的GaN样品，通过对各个样品的（0002）面摇摆曲线进行线形拟合及分析，发现虽然退火后摇摆曲线的半峰宽变大，但面外倾斜角（tilt）的值却变
【机 构】
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北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室
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利用高分辨X射线衍射仪（XRD）分析了长时间退火前后的GaN样品，通过对各个样品的（0002）面摇摆曲线进行线形拟合及分析，发现虽然退火后摇摆曲线的半峰宽变大，但面外倾斜角（tilt）的值却变小，从而螺型穿透位错（TD）密度变小，这与化学腐蚀实验的结果一致．我们的结果表明，线形拟合在利用XRD研究GaN薄膜材料结构的过程中是十分必要的，而不能用摇摆曲线的展宽直接表征TD密度。
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