Interface effects on the electroluminescence spectra in amorphous-Si/silicon oxynitride multilayer s

来源 :中国科学：物理学、力学、天文学英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lovesyb

【摘要】

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我们报导从多层的结构由血浆准备了的同样扔的 amorphous-Si/silicon oxynitride 的房间温度 electroluminescence (EL ) 提高了化学蒸汽免职。我们为 Si 和 SiO x N y subla

【作者】

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WANG Xiang HUANG Rui SONG Chao

【机构】

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DepartmentofPhysicsandElectronicEngineering

【出处】

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中国科学：物理学、力学、天文学英文版

【发表日期】

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2012年7期

【关键词】

：

电致发光光谱多层结构氮氧化物等离子体增强化学气相沉积界面效应傅里叶变换红外光谱接口特性屏障材料 electroluminescence spect

【基金项目】

：

This work was supported by the National Natural Science Foundation of China （Grant No. 60806046） and the Foundation for Distinguished Young Talents in Higher Education of Guangdong （Grant Nas. LYM0910

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我们报导从多层的结构由血浆准备了的同样扔的 amorphous-Si/silicon oxynitride 的房间温度 electroluminescence (EL ) 提高了化学蒸汽免职。我们为 Si 和 SiO x N y sublayers 两个都准备了与 4 nm 的厚度多层的 8 时期 a-Si/SiO x N y。EL 光谱侧面在障碍材料之上展出一些显然调制的特征。由在障碍层调整氮化物 / 氧比率， EL 山峰位置能从 750 nm 被调节到 695 nm。从拉曼和 Fourier 的结果转

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