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利用电化学聚合的方法将聚吡咯聚合于神经元传感器的电极上,SEM表明该涂层的表面形貌为具有较高粗糙度的菜花状.聚吡咯导电涂层平均的表观模量为1.3 GPa,介于神经元传感器晶体硅材料(E=172 GPa)和中枢神经组织(E=100 kPa)之间,可以在两者之间建立一个性能梯度中间层.
导电聚合物聚吡咯在神经元传感器中的应用
【摘 要】
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利用电化学聚合的方法将聚吡咯聚合于神经元传感器的电极上,SEM表明该涂层的表面形貌为具有较高粗糙度的菜花状.聚吡咯导电涂层平均的表观模量为1.3 GPa,介于神经元传感器晶
【机 构】
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南京理工大学化工学院,材料科学与工程系
【出 处】
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南京理工大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2003年4期
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