【摘 要】
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以AlN粉末为原料、Y2O3粉末为烧结助剂，分别在氮气气氛下和真空气氛下，采用放电等离子烧结方法在1700℃、25MPa条件下保温10min制备AIN陶瓷。X-射线衍射、扫描电镜和X-射线光电
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以AlN粉末为原料、Y2O3粉末为烧结助剂，分别在氮气气氛下和真空气氛下，采用放电等离子烧结方法在1700℃、25MPa条件下保温10min制备AIN陶瓷。X-射线衍射、扫描电镜和X-射线光电子能谱分析表明：不同烧结气氛下制备的AlN陶瓷的结构和体积电阻率各有不同。真空气氛AlN陶瓷与氮气气氛AlN陶瓷相比较，除舍有主晶相AlN和第二相Y3Al5O12外，还含有微量Al2Y相。正是由于微量Al2Y相的存在，使得真空气氛下得到的AlN陶瓷比氮气气氛下得到的A1N陶瓷的体积电阻率低约2个数量级。
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