多晶硅太阳电池少子寿命的数值模拟

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主要引入载流子的有效迁移率和有效扩散长度两个物理量,对多晶硅的少子寿命进行数值模拟。在此基础上建立了多晶硅太阳电池的一维物理模型,采用数值模拟方法对其在AM1.5太阳光入射下的电池输出特性JSC、VOC、FF和η进行模拟计算,着重分析了晶粒尺寸和基区少子寿命对多晶硅太阳电池性能的影响。模拟结果表明,晶粒尺寸和少子寿命是影响多晶硅太阳电池性能的两个关键因素。当少子寿命较低时,晶粒尺寸对电池效率的影响不大,此时电池效率的提高受限于少子寿命;当少子寿命增大时,电池效率随晶粒尺寸的增大显著提高。同时,从模拟结果可得到电池效率与少子寿命和晶粒尺寸之间的定量关系。
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