【摘 要】
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为了获得高硬度氧化铪薄膜的射频磁控溅射制备工艺条件,采用射频反应磁控溅射技术在单晶硅基底上了沉积HfO2薄膜,采用正交实验分析了靶功率、靶-基距和氩氧气体质量流量比对
【机 构】
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中国科学院西安光学精密机械研究所,飞秒光电科技（西安）有限公司
【基金项目】
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陕西省科技统筹创新工程计划项目（S2016TNGY0105）
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为了获得高硬度氧化铪薄膜的射频磁控溅射制备工艺条件,采用射频反应磁控溅射技术在单晶硅基底上了沉积HfO2薄膜,采用正交实验分析了靶功率、靶-基距和氩氧气体质量流量比对薄膜纳米力学性能的影响规律,得到了最佳工艺参数.在相同靶功率和靶-基距条件下,系统地研究了氩氧气体质量变化对薄膜纳米力学性能和光学性能的影响规律,分别采用紫外可见红外分光光度计、椭偏仪、纳米压痕仪对薄膜性能进行了表征.结果表明：在不同Ar/O2流量比下,所制备薄膜在1064nm处的折射率和消光系数的变化与薄膜的纳米力学特性紧密相关.在较低O2
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