【摘 要】
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提出了一种缩短SOI Flash存储器浮栅长度的改进结构.对采用改进结构的器件进行仿真,结果表明,改进型结构与传统型结构相比,其存储窗口由3.7V提升到4.9V,提升了32％;在相同的阈
【机 构】
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南京邮电大学电子科学与工程学院,南京,210003
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提出了一种缩短SOI Flash存储器浮栅长度的改进结构.对采用改进结构的器件进行仿真,结果表明,改进型结构与传统型结构相比,其存储窗口由3.7V提升到4.9V,提升了32％;在相同的阈值电压改变量(编程和擦除过程中阈值电压偏移量分别为3.5V/-3.SV)的情况下,所需的编程时间缩短了73％,擦除时间缩短了64％,表明改进型结构的性能得到了显著提高.
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