【摘 要】
：
制造了栅长0·1μm,栅氧厚度5·6nm,栅槽180nm的SOI槽栅pMOSFET.给出了器件的转移特性和输出特性.在Vds=-1·5V时,其饱和漏电流为380μA ,关态泄漏电流为1·9nA;在Vds=-0·1V
【机 构】
：
中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所 北京100029,北京100029,北京100029,北京100029
论文部分内容阅读
制造了栅长0·1μm,栅氧厚度5·6nm,栅槽180nm的SOI槽栅pMOSFET.给出了器件的转移特性和输出特性.在Vds=-1·5V时,其饱和漏电流为380μA ,关态泄漏电流为1·9nA;在Vds=-0·1V下的亚阈值斜率为115 mV/dec ,DIBL因子为70·7 mV/V.实验结果表明,0·1μm SOI槽栅pMOSFET比同尺寸体硅槽栅pMOSFET拥有更好的电流驱动能力和亚阈值特性.
A SOI trench gate pMOSFET with a gate length of 0.1 μm, a gate oxide thickness of 5.6 nm and a gate width of 180 nm was fabricated. The transfer characteristics and output characteristics of the device were given. The saturation leakage current was 380 μA at Vds = -1.5 V , The off-state leakage current is 1.9 nA, the sub-threshold slope is 115 mV / dec at Vds = -0 · 1V, and the DIBL factor is 70.7 mV / V. The experimental results show that the 0.1 μm SOI trench gate pMOSFET ratio The same size bulk silicon gate pMOSFET has better current drive capability and sub-threshold characteristics.
其他文献
由国家自然科学基金委员会、国家科技部、中国微米纳米技术学会、中国机械工程学会、中国仪器仪表学会主办,中国机械工程学会微纳米制造分会、东北MEMS研发联合体、大连理工
党的十六大以来全党的首要政治任务,就是深入学习、全面领会、准确把握、深入贯彻十六大精神,用十六大精神作指导,加快推进社会主义现代化建设。全面而准确地把握十六大基本
中国铸造学会铸造工艺及造型材料学组,于82年8月26日~30日在沈阳召开了“全国铸型涂料专题讨论会”,来自全国54个单位72名代表加了会议,会上宣读了二十几篇论文,论文的内容有
一、快速电镀的特点和应用范围快速电镀是一种修复机械零件的新技术,它能在金属表面局部的有选择地快速沉积金属镀层,从而达到恢复零件尺寸、保护零件和改变零件表面性能的
近年来反压铸造法在保加利亚有较大发展。本文在对反压铸造法的原理和过程作了简单说明后、即介绍了保加利亚反压铸造的发展情况,并着重介绍了可控气氛和气体合金化方面的发
“稀有金属最可贵,战略前途更辉煌”,这是陈毅同志生前视察西南大三线建设时写下的光辉诗句,它凝聚着老一辈无产阶级革命家对我国稀有金属材料工业的深切关怀和殷切期望。
英语修辞格（figuresofspeech）一般是指为求语言的特殊效果（如鲜明、生动、幽默、排列美等）而使用的特殊的修辞手法（见王广苏编著《简明英语修辞词典》，北京语言学院出版社1992年9月
本文从河间地震发生的区域构造背景、震区所在的里坦新生代断陷构造带、烈度分布和地震破裂带、地震活动以及深部结构资料,讨论了河间地震的若干问题:1.地震发生在沧县隆起
近年来 ,非公有制林业的快速发展给林业发展注入了强大的生机和活力 ,其发展规模之大、发展速度之快、成效之显著是前所未有的。特别是速生丰产林的大发展 ,使我们看到了林业
从国家林业局获悉:目前外来有害生物入侵问题日渐突出,紫茎泽兰、飞机草等外来有害植物在云南、广东、广西等省、自治区继续扩散蔓延,已累计造成1.5亿亩森林受害。国家林业