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应用同步辐射X射线形貌术对坩埚下降法生长的Nd:SGG晶体的缺陷进行了研究.观察到该晶体中存在较为明显的镶嵌结构晶界缺陷和位错缺陷,并分析了上述缺陷的形成原因.对提高Nd:SGG晶体质量、改进生长工艺具有一定的参考价值.
应用同步辐射白光形貌术研究Nd：SGG晶体的缺陷
【摘 要】
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应用同步辐射X射线形貌术对坩埚下降法生长的Nd:SGG晶体的缺陷进行了研究.观察到该晶体中存在较为明显的镶嵌结构晶界缺陷和位错缺陷,并分析了上述缺陷的形成原因.对提高Nd:S
【机 构】
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中国科学院上海硅酸盐研究所,复旦大学物理系,中国科学院高能物理研究所
【出 处】
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核技术
【发表日期】
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2004年7期
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