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对18英寸的热场内部氩气流动情况进行分析,根据其自身的流动方式、流动速度,进行科学调整,得到含有不同含量氧碳的硅单晶。利用数值模拟方法绘制完整的氩气流线图,同时对本次试验结果进行详细分析,得出氩气流场分布规律。旨在通过本文研究探究出氩气流动条件下对单晶硅生长氧碳含量的主要影响。
基于氩气流动条件下单晶硅生长氧碳含量影响研究
【摘 要】
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对18英寸的热场内部氩气流动情况进行分析,根据其自身的流动方式、流动速度,进行科学调整,得到含有不同含量氧碳的硅单晶。利用数值模拟方法绘制完整的氩气流线图,同时对本次
【机 构】
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洛阳单晶硅集团有限责任公司
【出 处】
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电子测试
【发表日期】
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2015年23期
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