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通过傅立叶红外吸收光谱分析了不同温度和时间下在硅衬底上快速热氧化（RTO）处理后的样品。结果表明，在处理相同的时间下，随着热处理温度的升高，二氧化硅薄膜的非对称伸展振动模式峰强度增强，其峰位发生了偏移。在800％下制备二氧化硅薄膜的热氧化动力学规律不同于1200℃下的情况。在800℃下，快速热氧化制备的薄膜中含有非化学计量比的氧化硅（SiOx），SiOxDE再氧化使得薄膜的氧化生长速率不断增加，同时也是导致红外吸收光谱中ASM峰位向长波数方向偏移。在1200℃下，快速热氧化制备的薄膜成份是二氧化硅，这种薄