【摘 要】
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以短切炭纤维为增强相，采用温压原位反应法制备C／C-SiC材料，研究了热处理温度对C／C-SiC材料组织结构的影响，以及Si（1）C原位反应机理。结果表明：试样中硅粉均匀分布于素坯内部，Si-C原位
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以短切炭纤维为增强相，采用温压原位反应法制备C／C-SiC材料，研究了热处理温度对C／C-SiC材料组织结构的影响，以及Si（1）C原位反应机理。结果表明：试样中硅粉均匀分布于素坯内部，Si-C原位反应只需Si近程扩散即可。Si粉熔化后迅速在就近的炭源表面铺展，并与之反应生成SiC。Si（1）-C反应相对于Si（s）-C反应速度更快，反应更完全。温度越高，生成的SiC也就越多，残留Si相应减少。1500℃热处理后复合材料的SiC含量达到62．7％，残留Si仅为1．4％。
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