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基于对称性分析,应用KP微扰理论确定了应变Si1-xGex(0≤x
应变Sil-xGex/Si △i能谷附近色散关系的KP理论推导
【摘 要】
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基于对称性分析,应用KP微扰理论确定了应变Si1-xGex(0≤x
【机 构】
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西安电子科技大学微电子学院
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2004年期
【基金项目】
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国家部委资助项目;
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