半导体材料掀革命10nm制程改用锗/Ⅲ-V元素

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半导体材料即将改朝换代。晶圆磊晶层(EpitaxyLayer)普遍采用的硅材料,在迈入10 nm技术节点后,将面临物理极限,使制程微缩效益降低,因此半导体大厂已相继投入研发更稳定、高效率的替代材料。其中,锗(Ge)和三五族(Ⅲ-Ⅴ) Semiconductor material is about to change. EpitaxyLayer commonly used silicon material, after entering the 10 nm technology node, will face the physical limits, the process of reducing the effectiveness of miniaturization, so the semiconductor manufacturers have been working to develop more stable and efficient alternative materials . Among them, Ge (Ge) and three five (III-V)
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