CdSe/HgSe/CdSe量子点量子阱(QDQW)晶粒的光学性质和电子结构

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以CdSe纳米晶体为核 ,用胶体化学的方法 ,通过化学替代反应 ,获得了不同阱层或不同垒层的CdSe HgSe CdSe量子点量子阱 (QDQW)晶体 .紫外 可见光吸收谱研究表明 ,通过调节QDQW中间HgSe阱层的厚度从 0 .9nm至 0 ,可以调节QDQW颗粒的带隙从 1.8变化至 2 .1eV ,实现QDQW纳米晶体的剪裁 .光致荧光 (PL)谱研究显示 ,QDQW形成后 ,CdSe HgSe纳米颗粒表面态得到钝化 ,显现出发光强度加强的带边荧光峰 .利用有效质量近似模型 ,对QDQW晶粒内部电子的 1s— 1s态进行了估算 ,估算结果总体趋势与实验数据相符 CdSe HgSe CdSe quantum dot quantum well (QDQW) crystals were obtained by chemical substitution reaction with CdSe nanocrystals by colloidal chemistry.UV-visible absorption spectra showed that by adjusting QDQW The thickness of the intermediate HgSe well layer can be adjusted from 0 to 9 nm to 0, and the band gap of the QDQW particles can be adjusted from 1.8 to 2.1 eV to tailor the QDQW nanocrystal.The photoluminescence (PL) spectroscopy study shows that after QDQW formation, CdSe The surface state of HgSe nanoparticle was passivated and the band edge fluorescence peak with enhanced luminescence intensity was shown.Using the effective mass approximation model, the 1s-1s state of QDQW crystal was estimated, and the general trend of the estimation results was consistent with the experimental data
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