【摘 要】
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在对n-on-p长波HgCdTe光伏器件光谱测试中,发现对于前照式型器件,光谱在中短波区有时会出现一个小峰。通过叠加原理的方式理论计算分析认为这是由于n区的B-M效应和量子效率导
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在对n-on-p长波HgCdTe光伏器件光谱测试中,发现对于前照式型器件,光谱在中短波区有时会出现一个小峰。通过叠加原理的方式理论计算分析认为这是由于n区的B-M效应和量子效率导致的。
In the n-on-p long-wavelength HgCdTe photovoltaic device spectral test, it was found for the front-illuminated devices, the spectrum sometimes appears in the short wave area of a small peak. Theoretical calculations based on the principle of superposition suggest that this is due to the B-M effect in n region and the quantum efficiency.
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