硅片抛光加工质量缺陷的理论剖析

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本文通过对单晶硅片抛光过程接触压力场分布的理论分析和计算就如何选择合理的抛光参数(抛光垫的弹性模量、抛光垫的厚度等)以得到高的工件平面度和表面加工质量进行了理论研究、为了简化问题和反映本质,文中将单品晶硅片抛光过程中的接触问题经过适当的假设转化为弹性力学领域内的轴对称园柱复合弹性半空间的接触问题并建立了力学模型和教学模型。更多还原
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