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利用MESFET沟道的几何磁阻效应,测定了器件有源层内的迁移率剖面分布,与此同时得到源漏串联电阻。验证了它们与器件噪声性能的对应关系。进一步研究了材料质量对器件噪声性能的影响,从而提出一种简单的、非破坏性的方法。该法可在MESFET进行微波噪声性能测试之前,有效地鉴别器件质量的优劣。
用几何磁阻法分析低噪声MESFET的噪声性能
【摘 要】
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利用MESFET沟道的几何磁阻效应,测定了器件有源层内的迁移率剖面分布,与此同时得到源漏串联电阻。验证了它们与器件噪声性能的对应关系。进一步研究了材料质量对器件噪声性能
【机 构】
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南京电子器件研究所,南京电子器件研究所
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1989年1期
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