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为了对纳米Si薄膜中晶粒尺寸的分布进行定量研究，首次提出“晶粒尺寸均匀度”的概念，并对Lowndes等人采用脉冲激光烧蚀方法制备纳米Si薄膜的实验结果进行了定量分析。结果表明，随着靶衬间距的增大，晶粒尺寸均匀度先减小后增大，也就是说，存在靶衬间距的最佳值，使所制备的纳米Si晶粒的尺寸均匀性最好。Monte Carlo模拟结果对这一结论进行了解释。