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以PSopal膜为模板制得了SnO2反opal光子晶体膜。采用浸渍提拉法和SOl—LPD法对PSopal模板进行填充，450℃焙烧除去PS模板得到SnO2反opal光子晶体。SEM和UV—Vis透射表征显示，两种填充方式都能得到三维有序的SnOz反opal光子晶体；以相同的PSopal膜为模板，通过Sol—LD填充法得到的SnO2反opal膜的禁带位置向长波移动（以浸渍提拉法制得的光子晶体的禁带位置为基准）。这证实Sol—LPD填充法比浸渍提拉法有更高的填充率。通过Sol—LPD填充法还能够制备具有多重禁