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通过4，4’-二（4-烯丙氧基苯甲酸）苯酯与POSS分子的硅氢化反应，合成了POSS交联聚合物。用FTIR、XRD对聚合物结构进行了表征，利用椭偏仪测量了薄膜的折射率和介电常数。通过改变单体与POSS投料摩尔比，可制备出k＜2.5的低介电常数薄膜。
POSS基低介电常数多孔薄膜的制备与性能研究
【摘 要】
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通过4，4’-二（4-烯丙氧基苯甲酸）苯酯与POSS分子的硅氢化反应，合成了POSS交联聚合物。用FTIR、XRD对聚合物结构进行了表征，利用椭偏仪测量了薄膜的折射率和介电常数。通过改变单体
【机 构】
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安徽大学化学化工学院,东华大学材料科学与工程学院
【出 处】
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功能材料
【发表日期】
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2007年A02期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（90606011,50472038）,新世纪优秀人才基金资助项目（NCEF-04-0588）.
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