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本文提出了一种新型的对称式SON LDMOS功率器件。在对器件击穿电压进行解析分析的基础上,利用SilvacoTCAD仿真软件Atals验证了漂移区设计对器件击穿电压的影响,证明了峰值击穿电压的存在。并且对比分析了SON LD-MOS与SOI LDMOS击穿电压和寄生电容方面的优劣,研究表明SON LDMOS在击穿电压上比SOI LDMOS器件提高了近3倍,并且其寄生电容也较小,这为SON LDMOS在功率方面的应用提供了部分理论支持。