【摘 要】
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利用扫描探针显微镜(SPM)进行电场诱导氧化加工的方法可应用于半导体微型器件和纳米电子器件的加工制作,文中研究了原子力显微镜(AFM)电场诱导氧化理论以及一些加工参数(偏置
【机 构】
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天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室
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利用扫描探针显微镜(SPM)进行电场诱导氧化加工的方法可应用于半导体微型器件和纳米电子器件的加工制作,文中研究了原子力显微镜(AFM)电场诱导氧化理论以及一些加工参数(偏置电压和加工速度)对加工结构尺寸的影响,并提出了阈值电压的概念,通过实验得出了偏压越大,加工线尺寸越大的结论,并指出随着加工速度的增大,加工线宽和线高都减小,且加工线高度和加工速度近似呈负对数关系,实验是在H钝化的Si表面上进行的。
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