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Impact of neutron-induced displacement damage on the single event latchup sensitivity of bulk CMOS S

来源 :null | 被引量 : 0次 | 上传用户：thelkiss

【作 者】

：

潘霄宇  郭红霞  罗尹虹  张凤祁  丁李利  魏佳男  赵雯 

【出 处】

：

null

【发表日期】

：

2017年01期

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