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采用CVD法，1050℃在三维针刺C／C—SiC复合材料表面制备SiC涂层，研究稀释气体与载气流量比分别为4：1和2-1制备条件下涂层的晶体结构、表面和断面的微观形貌，对比了涂层前后C／C—SiC复合材料的抗烧蚀性能。结果表明：稀释气体流量降低其制备的SiC涂层更加平整致密，与基体结合程度更好，沉积产物均为单一的β-SiC结晶相。在600s的氧化烧蚀下，两种流量比条件下制备CVD—SiC涂层的C／C—SiC复合材料的线烧蚀率比未涂层的分别降低34％和50％，质量烧蚀率分别降低70％和75％，抗氧化烧蚀性能