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用MEVVA离子源将La离子注入到单晶硅中形成掺杂层,用XRD,SEM分析了掺杂层的物相和表面形貌.分析结果表明,在强流离子注入后,掺杂层中有硅化物形成,且形成相的种类与注量、束流密度及后续热处理条件密切相关.对La硅化物的形成过程进行了讨论.
MEVVA源离子束合成镧硅化物
【摘 要】
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用MEVVA离子源将La离子注入到单晶硅中形成掺杂层,用XRD,SEM分析了掺杂层的物相和表面形貌.分析结果表明,在强流离子注入后,掺杂层中有硅化物形成,且形成相的种类与注量、束
【机 构】
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北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京师范大学低能核物理研究所,北京市辐射中心,100875,北京北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京师范大学低能核物理研究所,北京市
【出 处】
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北京师范大学学报（自然科学版）
【发表日期】
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2000年2期
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