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本文提出了一种新工作原理的晶体管,我们称为雪崩注入渡越时间晶体管,简称崩越晶体管.其发射极是反向偏置的p-n结,依靠雪崩注入载流子,然后在收集极中渡越.分析表明这种新器件在微波频率下具有远高于双极型晶体管和场效应晶体管的功率潜力,并可得到较宽的带宽.因此,这种器件有可能获得广泛的应用.
崩越晶体管
【摘 要】
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本文提出了一种新工作原理的晶体管,我们称为雪崩注入渡越时间晶体管,简称崩越晶体管.其发射极是反向偏置的p-n结,依靠雪崩注入载流子,然后在收集极中渡越.分析表明这种新器
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1981年01期
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