【摘 要】
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为了研究C2的演化规律,采用增强型电荷耦合器件(ICDD)直接成像法,通过Nd∶YAG激光器烧蚀石墨靶,使用窄带通滤波片分辨出C2和C^+的发射位置,研究了在不同空气压力条件下,脉冲
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为了研究C2的演化规律,采用增强型电荷耦合器件(ICDD)直接成像法,通过Nd∶YAG激光器烧蚀石墨靶,使用窄带通滤波片分辨出C2和C^+的发射位置,研究了在不同空气压力条件下,脉冲激光诱导石墨等离子体中C2和C^+的发射特性。当空气气压为10^-2 Pa和3Pa时,C2发射峰值位于靶材附近,此时C2的形成主要为靶材的直接发射;气压增大至50Pa时,由于气相重组反应加强,等离子体前端出现另一个C2的发射峰值,其峰值位置与C^+一致,并且其逐渐占C2发射的主导地位,此时C2的形成主要来源于重组反应,C^+发
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