【摘 要】
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本文采用自行设计PECVD的设备生长ZnO薄膜,以在等离子体作用下的CO2/H2作为氧源,Zn（C2H5）2为锌源,N2为载气,在Si（111）衬底上生长ZnO薄膜,衬底温度分别为400℃、450℃。使用原子力
【机 构】
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南昌航空大学,南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,江西贝思特科技有限公司
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本文采用自行设计PECVD的设备生长ZnO薄膜,以在等离子体作用下的CO2/H2作为氧源,Zn（C2H5）2为锌源,N2为载气,在Si（111）衬底上生长ZnO薄膜,衬底温度分别为400℃、450℃。使用原子力显微镜和带能谱的环境扫描电镜分析这两个ZnO薄膜样品的表面和断面组织形貌。实验结果表明,衬底温度直接影响薄膜的结晶质量。在衬底温度为450℃时生长薄膜样品,晶粒之间存在有规律的聚集,主要按六方环结构排布,比在衬底温度为400℃生长的薄膜的晶粒之间的聚集更有规律,这与XRD测试结果相吻合;薄膜的断面组
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