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文章利用硅／硅键合、减薄抛光和IC工艺技术，开展硅基谐振型压力传感器技术研究，解决了三维体加工与IC工艺兼容的关键技术问题，成功地研制出一种硅基谐振型压力传感器样品，在常压下测试其Q值达到400，进一步参数测试还在进行中。
一种硅基谐振型压力传感器技术研究
【摘 要】
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文章利用硅／硅键合、减薄抛光和IC工艺技术，开展硅基谐振型压力传感器技术研究，解决了三维体加工与IC工艺兼容的关键技术问题，成功地研制出一种硅基谐振型压力传感器样品，在常压下
【机 构】
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模拟集成电路国家重点实验、室中国电子科技集团公司、第二十四研究所
【出 处】
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纳米科技
【发表日期】
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2005年4期
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