InGaAsP单量子阱激光器热特性研究

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xiaollxiao

【摘要】

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从InGaAsP单量子阱激光器热效应分析入手,采用自行设计的热封闭系统对808nm InGaAsP单量子阱激光器温度特性进行了研究.实验表明,在23℃～70℃的温度范围内,器件的功率由1.12W

【作者】

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张永明钟景昌路国光秦莉

【机构】

：

长春理工大学,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

【出处】

：

半导体光电

【发表日期】

：

2005年4期

【关键词】

：

单量子阱激光器 INGAASP 热特性特征温度 SQW lasers InGaAsP thermal characteristics character

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从InGaAsP单量子阱激光器热效应分析入手,采用自行设计的热封闭系统对808nm InGaAsP单量子阱激光器温度特性进行了研究.实验表明,在23℃～70℃的温度范围内,器件的功率由1.12W降到0.37 W,斜率效率由1.06 W/A降到0.47 W/A.实验测得其特征温度T0为321 K.激射波长随温度的漂移为0.45 nm/℃.其芯片的热阻为2.44℃/W.

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