论文部分内容阅读
研究了AlGaN半导体p电极的Ni/Au/Ni/Au接触结构的性能和组织结构。退火前,p电极接触具有明显的整流特性。经空气中550℃/3 min一次退火和N。气氛中750℃/30 s二次退火后,电极呈现出了良好的欧姆接触。采用扫描电镜(Scanning Electron Microscope,SEM)、透射电镜(Tansmission Electron Microscope,TEM)、能量分散谱仪(Energy Dispersive Spectrometer,EDS)和X射线光电子能谱(X-ray Pho