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基于CMOS电流模式，设计一个可以工作在1V电源电压的低电压带隙参考源。采用0．18μmCMOS工艺模型的仿真结果表明，温度在-20℃-80℃围内，其温度系数小于10ppm/℃，电源抑制比大于-64dB。芯片面积为53μm×44μm。
一种CMOS低电压精准带隙参考源
【摘 要】
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基于CMOS电流模式，设计一个可以工作在1V电源电压的低电压带隙参考源。采用0．18μmCMOS工艺模型的仿真结果表明，温度在-20℃-80℃围内，其温度系数小于10ppm/℃，电源抑制比大于-64d
【机 构】
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哈尔滨工业大学（威海）微电子中心
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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2007年12期
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