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低成本、大面积、沉积速率高、均匀性好、光电性能优良的A1掺杂ZnO薄膜（AZO）制备技术依然是透明导电薄膜领域研究的重点之一。本文采用冷壁式气溶胶辅助化学气相沉积（AACVD）技术在玻璃衬底上制备了AZO透明导电薄膜，研究了衬底温度对薄膜结构和光、电性能的影响。利用X射线衍射、原子力显微镜、紫外-可见光谱和光致发光光谱等对样品进行了表征。结果表明：在AACVD法生长AZO薄膜的过程中，衬底温度对AZO薄膜晶面的择优取向生长影响呈起伏式变化。明显的电学性能的转变温度发生在约400℃,光学性能和晶面的择优取向