【摘 要】
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运用射频溅射法在Si和LaNiO3/Si衬底上分别制备了高度（002）和（110）取向的ZnO薄膜.通过X射线衍射（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）表征,发现ZnO/LaNiO3/Si薄膜的（110）取向度高达96％,ZnO/Si薄膜
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运用射频溅射法在Si和LaNiO3/Si衬底上分别制备了高度（002）和（110）取向的ZnO薄膜.通过X射线衍射（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）表征,发现ZnO/LaNiO3/Si薄膜的（110）取向度高达96％,ZnO/Si薄膜为（002）择优取向,两种薄膜表面均致密平整,晶粒尺寸小于80nm.光致发光结果表明,ZnO/LaNiO3/Si薄膜的光致发光峰主要为带边发射的紫外光,而ZnO/Si薄膜的光致发光峰主要为过量氧导致的缺陷引起的缺陷发光峰.因此,采用LaNiO3薄膜作为ZnO在Si衬底上生长
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