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采用射频磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了BaxSr1-xTiO3(BST)薄膜,对BST/Pt/Ti/SiO2/Si结构进行了XPS深度分析.研究结果表明:制备的BST薄膜内部化学成分基本一致;氧缺位在薄膜体内比表面更严重;Pt底电极向薄膜、衬底之间扩散,BST/Pt及Pt/SiO2之间存在明显的界面过渡层.