【摘 要】
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针对压印过程中模具与晶圆密贴度和压印面积的矛盾，提出释放保型软压印光刻工艺。此工艺包括五步加载过程，可充分挖掘压印图型转印误差根源以及图型转印保真度与阻蚀胶留膜厚度
【机 构】
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西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室
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针对压印过程中模具与晶圆密贴度和压印面积的矛盾，提出释放保型软压印光刻工艺。此工艺包括五步加载过程，可充分挖掘压印图型转印误差根源以及图型转印保真度与阻蚀胶留膜厚度的内在矛盾。通过目标载荷量的调节与控制将模具弹性回弹调整到紫外光固化步骤前，消除压印过程的内在矛盾，实现压印面积由2cm^2向8cm^2的提升，同时保证阻蚀胶留膜厚度的要求。基于创新的释放保型软压印工艺，一套低成本及结构简单的压印光刻原型机被设计构建，一系列压印结果证明应用此工艺的压印光刻机具有同场压印不同面积、特征尺寸结构图型的多次复制能力。
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