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介绍了半导体产业在制造极限的技术路线选择方面,下一代光刻技术-极紫外光刻设备面临的挑战及其开发和技术应用的进展现状.指出了在未来的22 nm技术节点极紫外光刻进入量产的可能性.
EUV光刻技术的发展
【摘 要】
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介绍了半导体产业在制造极限的技术路线选择方面,下一代光刻技术-极紫外光刻设备面临的挑战及其开发和技术应用的进展现状.指出了在未来的22 nm技术节点极紫外光刻进入量产的
【出 处】
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电子工业专用设备
【发表日期】
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2008年10期
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