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在2-t-butyl-9,10-di-（2-naphthyl）anthracene（TBADN）/tris（8-hydroxyquinoline）aluminum（Alq3）界面及TBADN/4’7-diphyenyl-1,10-phenanthroline（Bphen）界面上插入Gaq薄膜作为阶梯势垒,使有机电致发光器件的电子注入得到改善。由于Gaq（2.9 eV）的LUMO（分子最低空余轨道能级）位于Alq3（3.1 eV）（或Bphen（3.0eV））的LUMO和TBADN的LUMO（2.8 eV）